参与沉积的 Au + 和 Si 原子之间的反应细节在别处描述。化学镀金的形态相当复杂，许多基本问题仍有待澄清，例如在氢氟酸存在下与硅的界面性质(HF)。在一些研究中，据报道，由于 Au 原子与 Si 的强相互作用而形成硅化物。在有关该主题的文献中发现了几个对比报告，但一般认为，在临界厚度（在 2 到 5 ML 范围内），金似乎是惰性的，不能与硅混合。对于通过电位移 (GD) 沉积在硅上的金，已经提出包括 Volmer-Weber 和 Stranski-Krastanov 模式的增长。已经发现，在生长过程中，Si 原子通过沉积的金层向外扩散，随后在其表面形成 Si 氧化物。该过程在形成一定厚度的氧化物后停止，金原子以固体簇的形式聚集在其顶部。这些簇的光学特性取决于它们的形状和形态。
硅衬底上的金纳米粒子在硅纳米线 (SiNW) 催化、金属辅助蚀刻 (MAE) 或什至作为标准小型化设备中的电接触方面显示出有趣的应用。它们在光学频率下表现出增强的表面等离子体共振 (SPR) 的能力使它们非常适合散射和吸收可见光。由于这些原因，他们在用于太阳能转换的金属-半导体混合结构领域发现了有趣的应用。基于电流置换反应的化学沉积是一种有效且通用的技术，用于在基板上沉积 Au 纳米团簇的不同方法。这涉及将样品手动浸入电镀浴中几秒钟，而无需施加外部电流或电位。
通常，需要额外的沉积后退火步骤来改善光谱响应。在我们之前对 Si 衬底上 Au + 离子上的 GD 的研究中，我们发现金属纳米颗粒瞬间成核，并且它们随后的生长受溶液中的扩散控制。具体而言，我们表明 AuNPs 是通过在含有 1 mM KAuCl4 和 4.8 M HF 的溶液中浸渍 Si (100) 衬底几秒钟形成的，平均半径小于 10 nm，密度高于 1010 cm-2 . 在目前的工作中，我们表明，通过适当的高频处理，3D Au 簇优先于通过逐层生长获得的平坦区域。这种有益的改性只需要在稀释的氢氟酸中手动浸泡几秒钟 含 6% HF 的溶液 (DHF)，无需退火或高功率光照射。