根据实验部分中描述的程序清洁 Si (100) 衬底。然后将其中一些浸入 DHF（稀释的氢氟酸, 6% 氢氟酸）10 秒，其他一些 240 秒。然后通过在电镀溶液中浸渍3秒来进行化学镀金沉积。各个样品的 TEM 图像分别报告在图 2a、b 中。金的形态随着 DHF 预处理的时间而变化。在 DHF 中经过 10 秒后（见图 2a），Au 原子均匀地组装在 Si 衬底上，并具有几十纳米的细长结构。在 DHF 中放置 4 分钟后（图 2b），它们被排列为半径小于 10 nm 的球形小颗粒。虽然图像是在明场模式下拍摄的，但它清楚地显示出浅灰色的细方形区域（图 2b 中标记为 1）和深色粗圆形颗粒（图 2b 中标记为 2）的巨大质量对比。
这两个样品还通过卢瑟福背散射 (RBS) 测量与 2 MeV He + 离子进行分析，以获得沉积的金原子的面密度，我们估计等效平均厚度分别为 3 nm 和 10 nm。换句话说，在第一种情况下，逐层生长占主导地位，而 240 秒的 DHF 预处理有利于 3D 对齐。众所周知，氢氟酸会强烈改变硅表面粗糙度和润湿性能。
10 秒后（蚀刻速率 500 升/分钟），原生 SiO2 被完全蚀刻，因此在氢化硅表面发生成核。用原子力显微镜测量在 DHF 中预处理 4 分钟后的 Si 表面粗糙度，得到的均方根 (RMS) 为 3 nm，比典型的 Si 晶片高约一个数量级。因此，对于较粗糙的表面，表面自由能增加，并且通过提供优选的成核位点作为顶点或表面不连续性来促进 3D 簇的形成。